(19)中华 人民共和国 国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告 号 (45)授权公告日 (21)申请 号 202122644553.9 (22)申请日 2021.11.01 (73)专利权人 佳木斯大 学 地址 154007 黑龙江省佳木斯市学府街258 号 (72)发明人 张赛博　赵俊淞　李小海　 (74)专利代理 机构 南京鼎傲知识产权代理事务 所(普通合伙) 32327 代理人 胡光金 (51)Int.Cl. B23K 26/362(2014.01) B23K 26/70(2014.01) (54)实用新型名称 水射流辅助激光蚀刻加工单晶硅装置 (57)摘要 本实用新型公开了水射流辅助激光蚀刻加 工单晶硅装置， 包括主喷射管， 主喷射管的外侧 安装有压力表， 主喷射管的进水端连接有脉冲阻 尼器， 脉冲阻尼器的进水端连接有分流端口， 分 流端口的进水端连接有进水软管， 主喷射管的外 侧套接有固定环， 固定环的外侧连接有连接杆， 连接杆的一端转动连接有喷头夹盘， 喷头夹盘的 内侧开设有卡接槽， 卡接槽的内侧嵌入有喷头， 通过将限位螺帽拧松， 在连接杆的外侧快速的转 动喷头夹盘， 将需要使用的喷头拧紧到螺纹连接 槽的内侧， 从而完成替换， 替换过程简单方便， 从 而可以使不同的待蚀刻物使用合适规格的喷头 进行水射辅助， 不仅提高了工作效率， 更加提升 了激光蚀刻的成功率。 权利要求书1页 说明书3页 附图4页 CN 215941865 U 2022.03.04 CN 215941865 U 1.水射流辅助激光蚀刻加工单晶硅装置， 包括主喷射管 （1） ， 其特征在于： 所述主喷射 管 （1） 的外侧安装有压力表 （2） ， 所述主喷射管 （1） 的进水端连接有脉冲阻尼器 （3） ， 所述脉 冲阻尼器 （3） 的顶端安装有脉冲压力表 （4） ， 所述脉冲阻尼器 （3） 的进水端连接有分流端口 （5） ， 所述分流端口 （5） 的一端安装有柱塞泵 （6） ， 所述分流端口 （5） 的进水端连接有进水软 管 （7） ； 所述主喷射管 （1） 的外侧套接有固定环 （9） ， 所述固定环 （9） 的外侧连接有连接杆 （10） ， 所述连接杆 （10） 的一端转动连接有喷头夹盘 （11） ， 所述喷头夹盘 （11） 的内侧开设有卡接槽 （12） ， 所述卡接槽 （12） 的内侧嵌入有喷头 （13） ， 所述喷头 （13） 的外侧套接有限位环 （14） ， 所 述喷头 （13） 的一端外侧套接有限位螺帽 （15） 。 2.根据权利要求1所述的水射流辅助激光蚀刻加工单晶硅装置， 其特征在于： 所述卡接 槽 （12） 开设有若干个， 若干个卡接槽 （12） 等角度开设在喷头夹盘 （11） 的内侧， 所述限位环 （14） 的外径是卡接 槽 （12） 内径的1.5倍。 3.根据权利要求1所述的水射流辅助激光蚀刻加工单晶硅装置， 其特征在于： 所述喷头 夹盘 （11） 的内侧中部与连接杆 （10） 对应位置处开设有活动孔， 所述喷头夹盘 （11） 通过 活动 孔与连接杆 （10） 转动连接 。 4.根据权利要求1所述的水射流辅助激光蚀刻加工单晶硅装置， 其特征在于： 所述喷头 （13） 的外侧开设有螺纹， 所述喷头 （13） 通过螺纹与螺纹连接槽 （8） 相连接， 所述进水软管 （7） 与外 部水源相连接， 所述柱塞 泵 （6） 的输入端与外 部电源的输出端电性连接 。 5.根据权利要求1所述的水射流辅助激光蚀刻加工单晶硅装置， 其特征在于： 所述主喷 射管 （1） 的外侧套接有安装环 （16） ， 所述安装环 （16） 的外侧焊接有弧形杆 （17） ， 所述弧形杆 （17） 的内侧开设有滑动槽 （18） ， 所述弧形杆 （17） 的一侧设置有支撑板 （19） ， 所述支撑板 （19） 的一侧端面与滑动槽 （18） 对应位置处安装有夹紧螺杆 （20） ， 所述夹紧螺杆 （20） 的外侧 螺纹连接有夹紧螺帽 （21） ， 所述支撑 板 （19） 的底端焊接有支撑底座 （2 2） 。 6.根据权利要求5所述的水射流辅助激光蚀刻加工单晶硅装置， 其特征在于： 所述安装 环 （16） 设置有两个， 两个安装环 （16） 等距安装在主喷射管 （1） 的外侧。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 215941865 U 2水射流辅助激光蚀刻加工单晶硅装 置 技术领域 [0001]本实用新型涉及水射辅助技术领域， 具体为水射流辅助激光蚀刻加工单晶硅装 置。 背景技术 [0002]随着材料工程学的发展， 难加工材料逐渐成为机械加工领域的重点研究对象， 这 些领域有的需要在材料表面刻圆槽， 有的需要在其表面蚀圆孔， 但是 由于这些材料 的高硬 脆性， 一般采用激光刻蚀， 激光刻蚀技术作为激光加工技术中常用的一种， 它使得激光刻蚀 难加工材 料变成了现实， 在激光刻蚀时会 采用水射辅助以确保加工的成功率； [0003]但是现有的水射辅助装置难以快速的对喷射的水流的喷头进行更换， 导致在进行 不同材料进行刻蚀时难以起到较好的辅助喷射效果， 从而降低了刻蚀的成功率， 为避免上 述技术问题， 确有必 要提供水射流辅助激光蚀刻加工单晶硅装置以克服现有技术中的所述 缺陷。 实用新型内容 [0004]本实用新型提供水射流辅助激光蚀刻加工单晶硅装置， 可以有效解决上述背景技 术中提出的现有的水射辅助装置难以快速的对喷射的水流的喷头进行更换， 导致在进 行不 同材料进行刻蚀时难以起到较好的辅助喷射效果， 从而降低了刻蚀的成功率的问题。 [0005]为实现上述目的， 本实用新型提供如下技术方案： 水射流辅助激光蚀刻加工单晶 硅装置， 包括主喷射管， 所述主喷射管的外侧安装有压力表， 所述主喷射管的进 水端连接有 脉冲阻尼 器， 所述脉冲阻尼 器的顶端安装有脉冲压力表， 所述脉冲阻尼 器的进水端连接有 分流端口， 所述分流端口 的一端安装有柱塞 泵， 所述分流端口 的进水端连接有 进水软管； [0006]所述主喷射管的外侧套接有固定环， 所述固定环的外侧连接有连接杆， 所述连接 杆的一端转动连接有喷头夹盘， 所述喷头夹盘的内侧 开设有卡接槽， 所述卡接槽的内侧嵌 入有喷头， 所述喷头的外侧套接有限位环， 所述喷头的一端外侧套接有限位螺帽。 [0007]优选的， 所述卡接槽开设有若干个， 若干个卡接槽等角度开设在喷头夹盘的内侧， 所述限位环的外径是卡接 槽内径的1.5倍。 [0008]优选的， 所述喷头夹盘的内侧中部与连接杆对应位置处开设有活动孔， 所述喷头 夹盘通过活动孔与连接杆转动连接 。 [0009]优选的， 所述喷头的外侧开设有螺纹， 所述喷头通过螺纹与螺纹连接槽相连接， 所 述进水软管与外部水源相连接， 所述柱塞 泵的输入端与外 部电源的输出端电性连接 。 [0010]优选的， 所述主喷射管的外侧套接有安装环， 所述安装环的外侧焊接有弧形杆， 所 述弧形杆的内侧 开设有滑动槽， 所述弧形杆 的一侧设置有支撑板， 所述支撑板的一侧端面 与滑动槽对应位置处安装有夹紧螺杆， 所述夹紧螺杆的外侧螺纹连接有夹紧螺帽， 所述支 撑板的底端焊接有支撑底座。 [0011]优选的， 所述 安装环设置有两个， 两个安装环等距安装在主喷射管的外侧。说　明　书 1/3 页 3 CN 215941865 U 3