(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210953501.6 (22)申请日 2022.08.10 (71)申请人 福建星云电子股份有限公司 地址 350000 福建省福州市马尾区快安马 江大道石 狮路6号1-4#楼 (72)发明人 汤慈全　叶跃明　欧立春　杨澄　 黄桂登　江应平　 (74)专利代理 机构 福州市鼓楼区京华专利事务 所(普通合伙) 35212 专利代理师 吴学林 (51)Int.Cl. H02M 7/5387(2007.01) H05K 7/20(2006.01) (54)发明名称 一种基于碳化硅MOSFET的双管并联大功率 逆变器 (57)摘要 本发明提供了电力电子技术领域的一种基 于碳化硅MOSFET的双管并联大功率逆变器， 包括 第一半桥、 第二半桥、 第三半桥、 直流母线电容 C1、 N线平衡电容C2、 N线平衡电容C3、 A相负载电 感L1、 B相负载电感L2、 C相负载电感L3、 滤波电容 C4、 滤波电容C5、 滤波电容C6、 散热器组； 第一半 桥、 第二半桥、 第三半桥、 直流母线电容C1相互并 联； N线平衡电容C2与N线平衡电容C3串联后， 与 直流母线电容C1 并联； L1与第一 半桥、 C4连接； L2 与第二半桥、 C5连接； L3与第三半桥、 C6连接； 滤 波电容C4与滤波电容C5、 滤波电容C6连接。 本发 明的优点在于： 极大的提升了碳化硅MOSFET的均 流效果， 进 而极大的提升 了逆变器的功率 容量。 权利要求书2页 说明书5页 附图3页 CN 115360927 A 2022.11.18 CN 115360927 A 1.一种基于碳化硅MOSFET的双管并联大功率逆变器， 其特征在于： 包括一第一半桥、 一 第二半桥、 一第三半桥、 一直流母线电容C1、 一N线平衡电容C2、 一N线平衡电容C3、 一A相负 载电感L1、 一B相负载电感L2、 一C相负载电感L3、 一滤波电容C4、 一滤波电容C5、 一滤波电容 C6以及三个散热器组； 各 所述散热器组均包括 一散热器HSK1以及一散热器HSK2； 所述第一半桥、 第二半桥、 第三半桥以及直流母线电容C1相互并联； 所述N线平衡电容 C2与N线平衡电容C 3串联后， 与所述 直流母线电容C1并联； 所述A相负载电感L1的一端与第一半桥的输出端连接， 另一端与所述滤波电容C4连接； 所述B相负载电感L2的一端与第二半桥的输出端 连接， 另一端与所述滤波电容C5连接； 所述 C相负载电感L3的一端与第三半桥的输出端 连接， 另一端与所述滤波电容C6连接； 所述滤波 电容C4与滤波电容C 5以及滤波电容C 6连接； 所述第一半桥、 第二半桥以及第三半桥分别设于一散热器组的散热器HSK1和一散热器 HSK2之间。 2.如权利 要求1所述的一种基于碳化硅MOSFET的双管并联大功率逆变器， 其特征在于： 所述第一半桥包括一MOS管Q1、 一MOS管Q2、 一MOS管Q3、 一MOS管Q4、 一杂散电感Ls1、 一杂散 电感Ls2、 一杂散电感Ls3以及一杂散电感Ls4； 所述MOS管Q1的漏极与MOS管Q2的漏极、 直流母线电容C1、 N线平衡电容C2、 第二半桥以 及第三半桥连接， 源极与杂散电感Ls1连接； 所述杂散电感Ls2的一端与MOS管Q2的源极连 接， 另一端与杂散电感Ls1、 MOS管Q3的漏 极、 MOS管Q4的漏 极以及A相负载电感L1连接； 所述 杂散电感Ls3的一端与MOS管Q3的源极连接， 另一端与杂散电感Ls4、 直流母线电容C1、 N线平 衡电容C3、 第二半桥以及第三半桥连接； 所述杂散电感Ls4与MOS管Q 4的源极连接； 所述MOS管Q1以及MOS管Q3设于散热器HSK1以及散热器HSK2之间， 并靠近进风 口； 所述 MOS管Q2以及MOS管Q 4设于散热器HSK1以及散热器HSK2之间， 并靠 近出风口。 3.如权利 要求1所述的一种基于碳化硅MOSFET的双管并联大功率逆变器， 其特征在于： 所述第二半桥包括一MOS管Q5、 一MOS管Q6、 一MOS管Q7、 一MOS管Q8、 一杂散电感Ls5、 一杂散 电感Ls6、 一杂散电感Ls7以及一杂散电感Ls8； 所述MOS管Q5的漏极与MOS管Q6的漏极、 直流母线电容C1、 N线平衡电容C2、 第一半桥以 及第三半桥连接， 源极与杂散电感Ls5连接； 所述杂散电感Ls6的一端与MOS管Q6的源极连 接， 另一端与杂散电感Ls5、 MOS管Q7的漏 极、 MOS管Q8的漏 极以及B相负载电感L2连接； 所述 杂散电感Ls7的一端与MOS管Q7的源极连接， 另一端与杂散电感Ls8、 直流母线电容C1、 N线平 衡电容C3、 第一半桥以及第三半桥连接； 所述杂散电感Ls8与MOS管Q8的源极连接； 所述MOS管Q5以及MOS管Q7设于散热器HSK1以及散热器HSK2之间， 并靠近进风 口； 所述 MOS管Q6以及MOS管Q8设于 散热器HSK1以及散热器HSK2之间， 并靠 近出风口。 4.如权利 要求1所述的一种基于碳化硅MOSFET的双管并联大功率逆变器， 其特征在于： 所述第三 半桥包括一MOS管Q9、 一MOS管Q10、 一MOS管Q11、 一MOS管Q12、 一杂散电感Ls9、 一杂 散电感Ls10、 一杂散电感Ls1 1以及一杂散电感Ls12； 所述MOS管Q9的漏极与MOS管Q10的漏极、 直流母线电容C1、 N线平衡电容C2、 第一半桥以 及第二半桥连接， 源极与杂散电感Ls9连接； 所述杂散电感Ls10的一端与MOS管Q10的源极连 接， 另一端与杂散电感Ls9、 MOS管Q11 的漏极、 MOS管Q12的漏 极以及C相负载电感L3连接； 所 述杂散电感Ls11的一端与MOS管Q11的源极连接， 另一端与杂散电感Ls12、 直流母线电容C1、权　利　要　求　书 1/2 页 2 CN 115360927 A 2N线平衡电容C 3、 第一半桥以及第二半桥连接； 所述杂散电感Ls12与MOS管Q12的源极连接； 所述MOS管Q9以及MOS管Q11设于散热器HSK1以及散热器HSK2之间， 并靠近进风口； 所述 MOS管Q10以及MOS管Q12设于 散热器HSK1以及散热器HSK2之间， 并靠 近出风口。 5.如权利 要求2所述的一种基于碳化硅MOSFET的双管并联大功率逆变器， 其特征在于： 所述MOS管Q1、 MOS管Q2、 MOS管Q3以及MOS管Q 4均为N型SIC MOSFET管。 6.如权利 要求3所述的一种基于碳化硅MOSFET的双管并联大功率逆变器， 其特征在于： 所述MOS管Q5、 MOS管Q6、 MOS管Q7以及MOS管Q8均为 N型SIC MOSFET管。 7.如权利 要求4所述的一种基于碳化硅MOSFET的双管并联大功率逆变器， 其特征在于： 所述MOS管Q9、 MOS管Q10、 MOS管Q1 1以及MOS管Q12均为 N型SIC MOSFET管。权　利　要　求　书 2/2 页 3 CN 115360927 A 3