(19)国家知识产权局 (12)发明 专利 (10)授权公告 号 (45)授权公告日 (21)申请 号 202210897059.X (22)申请日 2022.07.28 (65)同一申请的已公布的文献号 申请公布号 CN 115003139 A (43)申请公布日 2022.09.02 (73)专利权人 苏州和林微纳科技股份有限公司 地址 215000 江苏省苏州市高新区 峨眉山 路80号 (72)发明人 钱晓晨　蔡泓羿　 (74)专利代理 机构 苏州智品专利代理事务所 (普通合伙) 32345 专利代理师 丰叶 (51)Int.Cl. H05K 7/20(2006.01) H05K 9/00(2006.01)G01R 31/28(2006.01) 审查员 罗璨 (54)发明名称 超薄接地散热组件及测试基座 (57)摘要 本发明公开了一种超薄接地散热组件及测 试基座， 包括金属接地散 热块 （1） ， 所述金属接地 散热块 （1） 上设置有若干个中空腔体 （2） ， 每个所 述中空腔体 （2） 内设置有支 撑体 （3） ， 所述支 撑体 （3） 与中空腔体 （2） 之间形成 “几”字型间隙 （4） ， 所述“几”字型间隙 （4） 内设置有弹片 （5） ， 所述弹 片 （5） 的顶部突出所述金属接地散热块 （1） 上端 面， 所述弹片 （5） 两端 的管脚 （5b） 突出金属接地 散热块 （1） 下端面。 本发明降低了接地散热块高 度， 提高了 接触良率、 热传导效率。 权利要求书1页 说明书4页 附图5页 CN 115003139 B 2022.11.04 CN 115003139 B 1.一种测试基座， 包括测试电路板 （8） 、 测试插座 （9） ， 所述测试插座 （9） 安装在测试电 路板 （8） 的上表面， 其特 征在于： 还包括超薄接地散热组件， 所述超薄接地散热组件被限位在测试插座 （9） 上； 所述超薄接地散热组件包括金属接地散热块 （1） ， 所述金属接地散热块 （1） 上设置有若 干个中空腔体 （2） ， 每个所述中空腔体 （2） 内设置有支撑体 （3） ， 所述支撑体 （3） 与中空腔体 （2） 之间形成 “几”字型间隙 （4） ， 所述 “几”字型间隙 （4） 内设置有弹片 （5） ， 所述弹片 （5） 的中 部绕设在支撑体 （3） 的顶部， 所述弹片 （5） 两端的管脚 （5b） 从中空腔体 （2） 伸出， 所述弹片 （5） 未被待测芯片压缩时， 所述弹片 （5） 的顶部 （5a） 突出所述金属接地散热块 （1） 上端面， 所 述弹片 （5） 两端的管脚 （5b） 突出 金属接地散热块 （1） 下端面； 当待测芯片 （10） 放入测试插座 （9） 且下压后， 所述弹片 （5） 受压缩， 受压缩的所述弹片 （5） 两端的管脚 （5b） 紧贴测试电路板 （8） 上表面、 顶部 （5a） 紧贴待测芯片 （10） 底部的芯片散 热接地垫 （10a） 。 2.根据权利要求1所述的测试基座， 其特 征在于： 所述中空腔体 （2） 的侧壁具有阶梯。 3.根据权利要求1所述的测试基座， 其特征在于： 所述支撑体 （3） 设置有一根， 一根所述 支撑体 （3） 穿过 所述若干个中空腔体 （2） 。 4.根据权利要求3所述的测试基座， 其特征在于： 位于两侧的中空腔体 （2） 的侧壁上设 置有相互对应的横槽 （6） ， 每个所述横槽 （6） 均起始于金属 接地散热块 （1） 的背面且沿厚度 方向延伸， 所述支撑体 （3） 的两端分别塞入与其对应的横槽 （6） 。 5.根据权利要求1所述的测试基座， 其特征在于： 所述金属接地散热块 （1） 的表面设置 有导电镀层。 6.根据权利要求1所述的测试基座， 其特征在于： 所述支撑体 （3） 采用硅橡胶、 氟橡胶、 异丁橡胶或硅胶材质。 7.根据权利要求1所述的测试基座， 其特征在于： 所述金属接地散热块 （1） 的四周一体 成型有卡条 （7） 。 8.根据权利要求1所述的一种测试基座， 其特征在于： 所述测试插座 （9） 的内侧设置有 卡槽 （9a） ， 所述金属接地散热块 （1） 的四周一体成型有卡条 （7） ， 所述金属接地散热块 （1） 通 过卡条 （7） 与卡槽 （9a） 的卡 合被限位在测试插座 （9） 上。 9.根据权利要求1所述的一种测试基座， 其特征在于： 所述待测芯片 （10） 为QFN芯片或 QFP芯片。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 115003139 B 2超薄接地散热组件及测试 基座 技术领域 [0001]本发明涉及一种适用于QFN芯片或QFP芯片的超薄接地散热组件及测试基座。 背景技术 [0002]随着科技发展及5G时代的到来， 电子产品中5G芯片也开始普及。 目前我国已成为 世界最大 的芯片需求国， 但是绝大多数高端芯片都依赖进口。 5G芯片中常见 的射频芯片封 装形式大多为QFN芯片， 越来越多的QFN芯片测试瓶颈， 集中在RF射频测试的信号损耗上。 目 前， 采用弹簧探针的测试基座由于电链路较长， 已经满足不了射频信号的传输要求。 [0003]现有QFN芯片及QFP芯片测试插座中常规的接地散热块有两种结构： [0004]第一种结构： 实心接地散热块 [0005]如附图1和附图2所示， 该实心接地散热块1'采用金属材质， 其上下面均为平面或 带有凸起。 [0006]该实心接地散热块的优点是： 结构 简单、 加工 便利。 [0007]该实心接地散热块的缺点是： 实心接地散热块为单片式结构， 芯片尺寸公差大， 当 待测芯片底部的芯片 散热接地垫平面度较差时， 无法做到紧密贴合， 导致接触面热阻大， 具 有热传导效率低、 接地效果 不佳的缺 点。 [0008]第二种结构： 带弹簧探针的两片式接地散热块 [0009]如附图3和附图4所示， 该两片式接地散热块由上接地散热块1''、 下接地散热块 2''构成， 上接地散热块1''、 下接地散热块2''配套的设置有呈阵列排布的腔体3''， 每个腔 体3''内装入弹簧探针4' '。 [0010]该两片式接地散热块的优点是： 待测芯片底部的芯片散热接地垫通过自带的弹簧 探针4''设置， 能较好的连接 至底部的测试电路板； [0011]该两片式接地散热块 的缺点是： 上接地散热块1''、 下接地散热块2''为两片式结 构， 压缩后高度无法做到 很薄， 导致接触面热阻大， 热传导效率低。 发明内容 [0012]为克服上述缺点， 本发明的目的在于提供一种降低接地散热块高度、 保证接触良 率、 提升热传导效率、 适用于QFN芯片或QFP芯片测试要求的超薄接地散热组件及测试基座。 [0013]为了达到以上目的， 本发明采用的技术方案是： 一种超薄接地散热组件， 包括金属 接地散热块， 所述金属接地散热块上设置有若干个中空腔体， 每个所述中空腔体内设置有 支撑体， 所述支撑体与中空腔体之 间形成“几”字型间隙， 所述 “几”字型间隙内设置有弹片， 所述弹片的顶部突出所述金属接地散热块上端面， 所述 弹片两端的管脚突出金属接地散热 块下端面。 [0014]优选地， 所述中空腔体的侧壁具有阶梯。 [0015]优选地， 所述支撑体设置有一根， 一根所述支撑体穿过所述若干个中空腔体。 由一 根支撑体穿过所有的若干个中空腔体， 相较于在每个中空腔体内均设置有一根支撑体而说　明　书 1/4 页 3 CN 115003139 B 3