(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202211257828.6 (22)申请日 2022.10.13 (71)申请人 江苏超芯星半导体有限公司 地址 210000 江苏省南京市中国 （江苏） 自 由贸易试验区南 京片区研创园团结路 99号孵鹰大厦2189室 (72)发明人 李广超　詹琳　刘欣宇　 (74)专利代理 机构 北京品源专利代理有限公司 11332 专利代理师 陈小龙 (51)Int.Cl. B24B 7/22(2006.01) B24B 41/06(2012.01) B24B 37/10(2012.01) B24B 37/30(2012.01)B24B 55/02(2006.01) H01L 21/02(2006.01) H01L 21/683(2006.01) (54)发明名称 一种晶圆厚薄片的加工方法 (57)摘要 本发明提供一种晶圆厚薄片， 所述加工方法 包括以下步骤： 将所述晶圆粘结与承载盘上； 将 所述承载盘放置于冷却装置表 面， 使用压盘装置 对所述晶圆进行压制处理， 所述压盘装置包括压 盘以及与所述压盘连接的调心滚子轴承压头； 对 压制处理后的所述晶圆进行研磨处理。 所述加工 方法可以实现晶圆厚薄片的再利用， 加工后的晶 圆表面平整度高， 性能优异， 可直接用于半导体 器件的制备。 权利要求书1页 说明书5页 附图1页 CN 115519421 A 2022.12.27 CN 115519421 A 1.一种晶圆厚薄片的加工方法， 其特 征在于， 所述加工方法包括以下步骤： 将所述晶圆粘结与承载盘上； 将所述承载盘放置于冷却装置表面， 使用压盘装置对所述晶圆进行压制处理， 所述压 盘装置包括压盘以及与所述压盘连接的调心滚子轴承压 头； 对压制处 理后的所述晶圆进行研磨处 理。 2.根据权利要求1所述的加工方法， 其特 征在于， 所述承载盘包括陶瓷盘。 3.根据权利要求1或2所述的加工方法， 其特征在于， 使用粘结剂将所述晶圆固定于所 述承载盘表面； 优选地， 所述粘结剂包括固体蜡。 4.根据权利要求1 ‑3任一项所述的加工方法， 其特征在于， 所述冷却装置为内部设置有 冷却管路的冷却盘。 5.根据权利要求4所述的加工方法， 其特征在于， 所述冷却管路在所述冷却盘 内部至少 包括4个形状相同的部分。 6.根据权利要求1 ‑5任一项所述的加工方法， 其特征在于， 所述压盘的压制区域设置有 硅胶保护层； 优选地， 所述硅胶保护层直径大于所述晶圆直径0.5～ 2mm。 7.根据权利 要求1‑6任一项所述的加工方法， 其特征在于， 所述压制处理的压力为0.15 ～0.2MPa； 优选地， 所述压制处 理的温度为20～ 25℃； 优选地， 所述压制处 理的时间为2 ～3min。 8.根据权利要求1 ‑7任一项所述的加工方法， 其特征在于， 所述研磨在恒温冷却载台上 进行。 9.根据权利要求1 ‑8任一项所述的加工方法， 其特征在于， 所述研磨处理的温度为20～ 22℃。 10.根据权利要求1 ‑9任一项所述的加工方法， 其特征在于， 所述研磨处理使用的砂轮 包括2000#金刚石砂轮， 研磨液包括 微乳化剂 磨削液。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 115519421 A 2一种晶圆厚薄片的加工方 法 技术领域 [0001]本发明属于晶圆加工领域， 涉及一种晶圆厚薄片的加工方法。 背景技术 [0002]研磨是至关重要的半导体加工工序， 半导体制造技术十分精细， 制造工艺的及其 复杂。 对设备和材料的要求 非常苛刻。 目前主流的研磨采用一盘加工多片的方式， 但是由于 对晶片厚度统一要求， 无法对厚度不均的晶圆进 行加工； 单片减薄多 数是真空吸附， 对晶圆 TTV要求高， 厚薄片无法吸附， 而且 采用陶瓷砂轮， 成本非常高。 [0003]碳化硅由于化学性能稳定、 导热系数高、 热膨胀系数小、 耐磨性能好， 是第三代半 导体材料的核心。 相较于前两代材料， 碳化硅具有耐 高压、 耐高温、 低损耗等优越性能， 具有 较高的导热率、 熔点 等。 [0004]目前碳化硅晶圆在切割后， 需要多块同厚度的晶圆一起研磨， 而在切割过程中， 会 产生一定的厚薄片， 厚薄片会因同片晶圆两面平行度差异较大， 厚度不均， 无法研磨， 单片 减薄也会因不平整， 真空载台无法吸附， 无法加工， 只能报废。 CN110328606A公开了一种全 自动一体式单片单面研磨减薄设备， 此加工设备用减薄工艺加工厚薄片成本高， 贴厚薄片 会造成贴蜡厚度不均。 发明内容 [0005]为解决现有技术中存在的技术问题， 本发明提供一种晶圆厚薄片的加工方法， 所 述加工方法可以实现晶圆厚薄片的再利用， 加工后的晶圆表 面平整度高， 性能优异， 可直接 用于半导体 器件的制备。 [0006]为达到上述技术效果， 本发明采用以下技 术方案： [0007]本发明提供一种晶圆厚薄片的加工方法， 所述加工方法包括以下步骤： [0008]将所述晶圆粘结与承载盘上； [0009]将所述承载盘放置于冷却装置表面， 使用压盘装置对所述晶圆进行压制处理， 所 述压盘装置包括压盘以及与所述压盘连接的调心滚子轴承压 头； [0010]对压制处 理后的所述晶圆进行研磨处 理。 [0011]本发明中， 由于传统压制方式为气囊从中间往边缘下压， 此压盘方式会造成厚薄 片磨完后BOW值偏大， 需要增加平面硅胶垫， 调整气缸行程， 气缸压力； 而本申请采用的压制 方式不会因晶圆厚薄情况， 加工 完成后， 晶圆平整度达 到研磨后的标准。 [0012]本发明中， 所述加工方法处理晶圆为用多线切割机切割所切割的头尾片和跳线所 造成的厚薄片、 单线所切割的厚度过薄无法多线切割的头尾部等， 所述晶圆为单面或双面 不平整或厚度不均匀的 晶圆 [0013]作为本发明优选的技 术方案， 所述承载盘包括陶瓷盘。 [0014]作为本发明优选的技 术方案， 使用粘结剂将所述晶圆固定 于所述承载盘表面。 [0015]优选地， 所述粘结剂包括固体蜡。说　明　书 1/5 页 3 CN 115519421 A 3